Lanzamiento de nuevos productos: matriz de diodos de múltiples picos con colimación de eje rápido

Introducción

Con avances rápidos en la teoría de láser de semiconductores, los materiales, los procesos de fabricación y las tecnologías de envasado, junto con mejoras continuas en la potencia, la eficiencia y la vida útil, los láseres de semiconductores de alta potencia se utilizan cada vez más como fuentes directas o de bomba de luz. Estos láseres no solo se aplican ampliamente en el procesamiento de láser, los tratamientos médicos y las tecnologías de visualización, sino que también son cruciales en la comunicación óptica del espacio, la detección atmosférica, el reconocimiento de LiDAR y el objetivo. Los láseres semiconductores de alta potencia son fundamentales en el desarrollo de varias industrias de alta tecnología y representan un punto competitivo estratégico entre las naciones desarrolladas.

Láser de matriz apilada de semiconductores de múltiples picos con colimación de eje rápido

Como las fuentes de bomba de núcleo para láseres de estado sólido y fibra, los láseres de semiconductores exhiben un cambio de longitud de onda hacia el espectro rojo a medida que aumentan las temperaturas de trabajo, típicamente en 0.2-0.3 nm/° C. Esta deriva puede conducir a un desajuste entre las líneas de emisión de los LDS y las líneas de absorción de los medios de ganancia continua, disminuyendo el coeficiente de absorción y reduciendo significativamente la eficiencia de salida del láser. Por lo general, los sistemas de control de temperatura complejos se utilizan para enfriar los láseres, lo que aumenta el tamaño y el consumo de energía del sistema. Para satisfacer las demandas de miniaturización en aplicaciones como la conducción autónoma, el rango de láser y Lidar, nuestra compañía ha introducido la serie de matriz apilada de múltiples picos, LM-8XX-Q4000-F20-P0.73-1. Al expandir el número de líneas de emisión de LD, este producto mantiene la absorción estable por el medio de ganancia continua en un amplio rango de temperatura, reduciendo la presión sobre los sistemas de control de temperatura y disminuyendo el tamaño y el consumo de energía del láser al tiempo que garantiza una alta potencia de energía. Aprovechando los sistemas avanzados de prueba de chips desnudos, la unión de coalescencia al vacío, la ingeniería de materiales y fusiones de interfaz, y la gestión térmica transitoria, nuestra compañía puede lograr un control preciso de múltiples picos, alta eficiencia, gestión térmica avanzada y garantizar la confiabilidad a largo plazo y la vida útil de nuestros productos de matriz.