Lanzamiento de nuevo producto: matriz de diodos láser de picos múltiples con colimación de eje rápido

Introducción

Con rápidos avances en la teoría, los materiales, los procesos de fabricación y las tecnologías de envasado de láseres semiconductores, junto con mejoras continuas en potencia, eficiencia y vida útil, los láseres semiconductores de alta potencia se utilizan cada vez más como fuentes de luz directa o de bombeo. Estos láseres no sólo se aplican ampliamente en el procesamiento láser, tratamientos médicos y tecnologías de visualización, sino que también son cruciales en la comunicación óptica espacial, la detección atmosférica, LIDAR y el reconocimiento de objetivos. Los láseres semiconductores de alta potencia son fundamentales en el desarrollo de varias industrias de alta tecnología y representan un punto competitivo estratégico entre las naciones desarrolladas.

Láser de matriz apilada de semiconductores de picos múltiples con colimación de eje rápido

Como fuentes de bombeo central para láseres de estado sólido y de fibra, los láseres semiconductores exhiben un cambio de longitud de onda hacia el espectro rojo a medida que aumentan las temperaturas de trabajo, generalmente entre 0,2 y 0,3 nm/°C. Esta deriva puede provocar una falta de coincidencia entre las líneas de emisión de los LD y las líneas de absorción de los medios de ganancia sólidos, lo que disminuye el coeficiente de absorción y reduce significativamente la eficiencia de salida del láser. Normalmente, se utilizan sistemas complejos de control de temperatura para enfriar los láseres, lo que aumenta el tamaño del sistema y el consumo de energía. Para satisfacer las demandas de miniaturización en aplicaciones como conducción autónoma, alcance láser y LIDAR, nuestra empresa ha presentado la serie de conjuntos apilados de picos múltiples y refrigeración conductiva LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1. Al ampliar el número de líneas de emisión LD, este producto mantiene una absorción estable por parte del medio de ganancia sólido en un amplio rango de temperatura, lo que reduce la presión sobre los sistemas de control de temperatura y disminuye el tamaño y el consumo de energía del láser, al tiempo que garantiza una alta producción de energía. Aprovechando los sistemas avanzados de prueba de chips desnudos, la unión por coalescencia al vacío, la ingeniería de fusión y materiales de interfaz y la gestión térmica transitoria, nuestra empresa puede lograr un control preciso de múltiples picos, alta eficiencia, gestión térmica avanzada y garantizar la confiabilidad y vida útil a largo plazo de nuestra matriz. productos.