Suscríbete a nuestras redes sociales para recibir publicaciones inmediatas
Introducción
Con los rápidos avances en la teoría, los materiales, los procesos de fabricación y las tecnologías de envasado de los láseres semiconductores, junto con las continuas mejoras en potencia, eficiencia y vida útil, los láseres semiconductores de alta potencia se utilizan cada vez más como fuentes de luz directa o de bombeo. Estos láseres no solo se aplican ampliamente en el procesamiento láser, los tratamientos médicos y las tecnologías de visualización, sino que también son cruciales en la comunicación óptica espacial, la detección atmosférica, el LIDAR y el reconocimiento de objetivos. Los láseres semiconductores de alta potencia son fundamentales para el desarrollo de diversas industrias de alta tecnología y representan un factor competitivo estratégico entre los países desarrollados.
Láser de matriz apilada de semiconductores de múltiples picos con colimación de eje rápido
Como fuentes de bombeo de núcleo para láseres de estado sólido y de fibra, los láseres semiconductores presentan un desplazamiento de longitud de onda hacia el rojo a medida que aumenta la temperatura de trabajo, típicamente de 0,2 a 0,3 nm/°C. Esta desviación puede provocar un desajuste entre las líneas de emisión de los láseres de estado sólido y las líneas de absorción del medio de ganancia sólido, lo que disminuye el coeficiente de absorción y reduce significativamente la eficiencia de salida del láser. Normalmente, se utilizan sistemas complejos de control de temperatura para refrigerar los láseres, lo que aumenta el tamaño y el consumo de energía del sistema. Para satisfacer las demandas de miniaturización en aplicaciones como la conducción autónoma, la medición de distancias por láser y el LIDAR, nuestra empresa ha presentado la serie LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 de matrices apiladas con refrigeración conductiva y multipico. Al ampliar el número de líneas de emisión de los láseres de estado sólido, este producto mantiene una absorción estable por el medio de ganancia sólido en un amplio rango de temperaturas, lo que reduce la presión sobre los sistemas de control de temperatura y disminuye el tamaño y el consumo de energía del láser, a la vez que garantiza una alta salida de energía. Aprovechando sistemas avanzados de prueba de chip desnudo, unión por coalescencia al vacío, material de interfaz e ingeniería de fusión y gestión térmica transitoria, nuestra empresa puede lograr un control preciso de múltiples picos, alta eficiencia, gestión térmica avanzada y garantizar la confiabilidad a largo plazo y la vida útil de nuestros productos de matriz.

Figura 1 Diagrama del producto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1
Características del producto
Emisión Controlable de Múltiples Picos. Como fuente de bombeo para láseres de estado sólido, este innovador producto se desarrolló para ampliar el rango de temperatura de funcionamiento estable y simplificar el sistema de gestión térmica del láser, en medio de la tendencia hacia la miniaturización de los láseres de semiconductores. Con nuestro avanzado sistema de pruebas de chip desnudo, podemos seleccionar con precisión las longitudes de onda y la potencia del chip de barra, lo que permite controlar el rango de longitud de onda, el espaciado y los múltiples picos controlables (≥2 picos) del producto, lo que amplía el rango de temperatura de funcionamiento y estabiliza la absorción de bombeo.

Figura 2 Espectrograma del producto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1
Compresión de eje rápido
Este producto utiliza lentes microópticas para la compresión de eje rápido, adaptando el ángulo de divergencia del eje rápido según los requisitos específicos para mejorar la calidad del haz. Nuestro sistema de colimación en línea de eje rápido permite la monitorización y el ajuste en tiempo real durante el proceso de compresión, garantizando una buena adaptación del perfil del punto a los cambios de temperatura ambiental, con una variación inferior al 12 %.
Diseño modular
Este producto combina precisión y practicidad en su diseño. Caracterizado por su diseño compacto y aerodinámico, ofrece gran flexibilidad en su uso práctico. Su estructura robusta y duradera, junto con sus componentes de alta fiabilidad, garantizan un funcionamiento estable a largo plazo. Su diseño modular permite una personalización flexible para satisfacer las necesidades del cliente, incluyendo la personalización de la longitud de onda, el espaciado de emisión y la compresión, lo que lo hace versátil y fiable.
Tecnología de gestión térmica
Para el producto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1, utilizamos materiales de alta conductividad térmica adaptados al CTE de la barra, lo que garantiza la consistencia del material y una excelente disipación del calor. Se emplean métodos de elementos finitos para simular y calcular el campo térmico del dispositivo, combinando eficazmente simulaciones térmicas transitorias y de estado estacionario para controlar mejor las variaciones de temperatura.

Figura 3 Simulación térmica del producto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1
Control de Proceso: Este modelo utiliza tecnología tradicional de soldadura fuerte. Mediante el control de proceso, se garantiza una disipación óptima del calor dentro del espacio establecido, manteniendo así la funcionalidad del producto y garantizando su seguridad y durabilidad.
Especificaciones del producto
El producto se caracteriza por longitudes de onda multipico controlables, tamaño compacto, peso ligero, alta eficiencia de conversión electroóptica, alta fiabilidad y larga vida útil. Nuestro láser de barra apilada de semiconductores multipico más reciente, como láser semiconductor multipico, garantiza la visibilidad clara de cada pico de longitud de onda. Se puede personalizar con precisión según las necesidades específicas del cliente en cuanto a longitud de onda, espaciado, número de barras y potencia de salida, lo que demuestra su flexibilidad de configuración. Su diseño modular se adapta a una amplia gama de entornos de aplicación, y las diferentes combinaciones de módulos pueden satisfacer las diversas necesidades del cliente.
Número de modelo | LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 | |
Especificaciones técnicas | unidad | valor |
Modo de funcionamiento | - | Trabajo de calidad |
Frecuencia de operación | Hz | 20 |
Ancho de pulso | us | 200 |
Espaciado de barras | mm | 0.73 |
Potencia máxima por barra | W | 200 |
Número de barras | - | 20 |
Longitud de onda central (a 25 °C) | nm | A:798±2;B:802±2;C:806±2;D:810±2;E:814±2; |
Ángulo de divergencia del eje rápido (FWHM) | ° | 2-5 (típico) |
Ángulo de divergencia del eje lento (FWHM) | ° | 8(típico) |
Modo de polarización | - | TE |
Coeficiente de temperatura de longitud de onda | nm/°C | ≤0,28 |
Corriente de operación | A | ≤220 |
Corriente de umbral | A | ≤25 |
Voltaje de operación/barra | V | ≤2 |
Eficiencia de pendiente/Barra | WASHINGTON | ≥1,1 |
Eficiencia de conversión | % | ≥55 |
Temperatura de funcionamiento | °C | -45~70 |
Temperatura de almacenamiento | °C | -55~85 |
Duración de la vida (disparos) | - | ≥109 |
Los valores típicos de los datos de prueba se muestran a continuación:

Fecha de publicación: 10 de mayo de 2024