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El avance de las tecnologías láser de semiconductores ha sido transformador, impulsando mejoras notables en el rendimiento, la eficiencia operativa y la durabilidad de estos láseres. Las versiones de alta potencia se emplean cada vez más en un espectro de aplicaciones, que van desde usos comerciales en la fabricación de láser, dispositivos médicos terapéuticos y soluciones visuales de visualización hasta comunicaciones estratégicas, tanto terrestres como extraterrestres, y sistemas de orientación avanzados. Estos láseres sofisticados están a la vanguardia de varios sectores industriales de vanguardia y están en el corazón de la rivalidad tecnológica global entre las naciones principales.
Introducción de la próxima generación de pilas de barras de diodo láser
Adoptar el impulso de dispositivos más pequeños y más eficientes, nuestra empresa se enorgullece de presentar elserie refrigerada por conducciónLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Esta serie representa un salto hacia adelante, incorporando unión de coalescencia de vacío de vanguardia, material de interfaz, tecnología de fusión y gestión térmica dinámica para realizar productos que están altamente integrados, operan con una eficiencia notable y cuente con un control térmico superior para una fiabilidad sostenida y una vida útil más larga.
Al cumplir con el desafío de las mayores demandas de concentración de potencia impulsadas por el cambio de toda la industria a la miniaturización, hemos diseñado la unidad pionera LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Este modelo innovador logra una reducción dramática en el tono de los productos de barra convencionales de 0.73 mm hasta 0.38 mm, comprimiendo sustancialmente el área de emisión de la pila. Con la capacidad de albergar hasta 10 barras, esta mejora amplifica la salida del dispositivo a más de 2000 W, representando un aumento del 92% en la densidad de potencia óptica sobre sus predecesores.
Diseño modular
Nuestro modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 es el epítome de la ingeniería meticulosa, combinando la funcionalidad con un diseño compacto que ofrece una versatilidad incomparable. Su construcción duradera y el uso de componentes de grado superior aseguran una operación consistente con un mantenimiento mínimo, reduciendo las interrupciones operativas y los costos asociados, una ventaja crítica en sectores como la fabricación industrial y la atención médica.
Pionero en soluciones de gestión térmica
El LM-808-Q2000-F1-G10-P0.38-0 aprovecha materiales superiores térmicamente conductores que se alinean con el coeficiente de expansión térmica (CTE) de la barra, asegurando la uniformidad y la dispersión de calor sobresaliente. Aplicamos el análisis de elementos finitos para predecir y administrar el panorama térmico del dispositivo, logrando una regulación de temperatura precisa a través de una combinación innovadora de modelado térmico transitorio y estadístico.
Control de procesos riguroso
Adheridos a los métodos de soldadura de soldadura dura tradicionales pero efectivos, nuestros meticulosos protocolos de control de procesos mantienen una disipación térmica óptima, salvaguardando la integridad operativa del producto, así como su seguridad y longevidad.
Especificaciones del producto
El modelo LM-808-Q2000-F10-P0.38-0 se caracteriza por su factor de forma diminuta, peso reducido, eficiencia de conversión electroóptica superior, confiabilidad robusta y una vida útil operativa extendida.
| Parámetro | Especificación |
| Modelo de producto | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Modo de operación | QCW |
| Frecuencia de pulso | ≤50 Hz |
| Ancho de pulso | 200 EE. UU. |
| Eficiencia | ≤1% |
| Lanzamiento de barra | 0.38 mm |
| Potencia por bar | 200 W |
| Número de barras | ～ 10 |
| Longitud de onda central (25 ° C) | 808 nm |
| Ancho espectral | 2 nm |
| Ancho espectral FWHM | ≤4 nm |
| 90% de ancho de potencia | ≤6 nm |
| Divergencia del eje rápido (FWHM) | 35 (típico) ° |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 8 (típico) ° |
| Método de enfriamiento | TE |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | ≤0.28 nm/° C |
| Corriente operativa | ≤220 a |
| Corriente umbral | ≤25 a |
| Voltaje de funcionamiento | ≤2 V |
| Eficiencia de pendiente por barra | ≥1.1 w/a |
| Eficiencia de conversión | ≥55% |
| Temperatura de funcionamiento | -45 ~ 70 ° C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 ~ 85 ° C |
| Vida útil | ≥1 × 10⁹ disparos |
Soluciones láser de semiconductores de alta potencia y alta potencia
Nuestras pilas de láser de semiconductores de alta potencia, compacto y de alta potencia están diseñadas para ser altamente adaptables. A la medida de cumplir con las especificaciones individuales del cliente, incluido el recuento de barras, la potencia de salida y la longitud de onda, nuestros productos son un testimonio de nuestro compromiso de proporcionar soluciones versátiles e innovadoras. El marco modular de estas unidades asegura que puedan adaptarse a una amplia gama de usos, que atiende a una clientela diversa. Nuestra dedicación a las soluciones personalizadas pioneras ha llevado a la creación de productos de barra con una densidad de potencia inigualable, mejorando la experiencia del usuario de manera nunca antes posible.
Tiempo de publicación: diciembre-25-2023