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El avance de las tecnologías láser de semiconductores ha sido transformador, impulsando mejoras notables en el rendimiento, la eficiencia operativa y la durabilidad de estos láseres. Las versiones de alta potencia se emplean cada vez más en una amplia gama de aplicaciones, que abarcan desde usos comerciales en la fabricación de láseres, dispositivos médicos terapéuticos y soluciones de visualización, hasta comunicaciones estratégicas, tanto terrestres como extraterrestres, y sistemas avanzados de orientación. Estos sofisticados láseres están a la vanguardia de varios sectores industriales de vanguardia y son el núcleo de la rivalidad tecnológica global entre las naciones líderes.
Presentamos la próxima generación de pilas de barras de diodos láser
Adoptando el impulso hacia dispositivos más pequeños y eficientes, nuestra empresa se enorgullece de presentar elserie refrigerada por conducciónLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Esta serie representa un gran avance, ya que incorpora tecnología de vanguardia de unión por coalescencia al vacío, material de interfaz, tecnología de fusión y gestión térmica dinámica para crear productos altamente integrados, que funcionan con una eficiencia excepcional y ofrecen un control térmico superior para una fiabilidad sostenida y una vida útil más larga.
Para afrontar el reto de la creciente demanda de concentración de potencia impulsada por la transición hacia la miniaturización en toda la industria, hemos diseñado la pionera unidad LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Este innovador modelo reduce drásticamente la distancia entre barras de los productos convencionales, de 0,73 mm a 0,38 mm, lo que reduce considerablemente el área de emisión de la pila. Con capacidad para alojar hasta 10 barras, esta mejora amplía la potencia del dispositivo a más de 2000 W, lo que representa un aumento del 92 % en la densidad de potencia óptica con respecto a sus predecesores.
Diseño modular
Nuestro modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 es la personificación de la ingeniería meticulosa, combinando funcionalidad con un diseño compacto que ofrece una versatilidad inigualable. Su construcción duradera y el uso de componentes de primera calidad garantizan un funcionamiento constante con un mantenimiento mínimo, reduciendo las interrupciones operativas y los costos asociados, una ventaja crucial en sectores como la fabricación industrial y la atención médica.
Pioneros en soluciones de gestión térmica
El LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 utiliza materiales de alta conductividad térmica que se ajustan al coeficiente de expansión térmica (CTE) de la barra, lo que garantiza uniformidad y una excelente dispersión del calor. Aplicamos análisis de elementos finitos para predecir y gestionar el panorama térmico del dispositivo, logrando una regulación precisa de la temperatura mediante una innovadora combinación de modelado térmico transitorio y estacionario.
Control riguroso de procesos
Al adherirnos a los métodos de soldadura dura tradicionales pero efectivos, nuestros meticulosos protocolos de control de procesos mantienen una disipación térmica óptima, salvaguardando la integridad operativa del producto, así como su seguridad y longevidad.
Especificaciones del producto
El modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 se caracteriza por su factor de forma diminuto, peso reducido, eficiencia de conversión electroóptica superior, confiabilidad robusta y una vida útil operativa prolongada.
| Parámetro | Especificación |
| Modelo de producto | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Modo de operación | Trabajo de calidad |
| Frecuencia de pulso | ≤50 Hz |
| Ancho de pulso | 200 nosotros |
| Eficiencia | ≤1% |
| Bar Pitch | 0,38 milímetros |
| Potencia por barra | 200 vatios |
| Número de barras | ～10 |
| Longitud de onda central (25 °C) | 808 nm |
| Ancho espectral | 2 nm |
| Ancho espectral FWHM | ≤4 nm |
| 90% de ancho de banda de potencia | ≤6 nm |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 35 (típico)° |
| Divergencia de eje lento (FWHM) | 8 (típico)° |
| Método de enfriamiento | TE |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | ≤0,28 nm/°C |
| Corriente de operación | ≤220 A |
| Corriente de umbral | ≤25 A |
| Voltaje de operación | ≤2 V |
| Eficiencia de pendiente por barra | ≥1,1 W/A |
| Eficiencia de conversión | ≥55% |
| Temperatura de funcionamiento | -45~70 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55~85 °C |
| Vida útil | ≥1×10⁹ disparos |
Soluciones láser semiconductoras compactas y de alta potencia a medida
Nuestras vanguardistas y compactas pilas láser semiconductoras de alta potencia están diseñadas para una gran adaptabilidad. Adaptables a las especificaciones individuales del cliente, como número de barras, potencia de salida y longitud de onda, nuestros productos demuestran nuestro compromiso de ofrecer soluciones versátiles e innovadoras. La estructura modular de estas unidades garantiza su adaptación a una amplia gama de usos, satisfaciendo así las necesidades de una clientela diversa. Nuestra dedicación a la innovación en soluciones personalizadas nos ha llevado a la creación de productos de barra con una densidad de potencia inigualable, que mejoran la experiencia del usuario de maneras nunca antes vistas.
Hora de publicación: 25 de diciembre de 2023