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El avance de las tecnologías láser de semiconductores ha sido transformador, impulsando mejoras notables en el rendimiento, la eficiencia operativa y la durabilidad de estos láseres. Las versiones de alta potencia se emplean cada vez más en un amplio abanico de aplicaciones, desde usos comerciales en la fabricación láser, dispositivos médicos terapéuticos y soluciones de visualización, hasta comunicaciones estratégicas, tanto terrestres como extraterrestres, y sistemas de puntería avanzados. Estos sofisticados láseres se encuentran a la vanguardia de varios sectores industriales punteros y son el eje de la rivalidad tecnológica global entre las principales naciones.
Presentamos la próxima generación de pilas de barras de diodos láser.
En línea con la tendencia hacia dispositivos más pequeños y eficientes, nuestra empresa se enorgullece de presentar elserie refrigerada por conducciónLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Esta serie representa un gran avance, incorporando unión por coalescencia al vacío de vanguardia, material de interfaz, tecnología de fusión y gestión térmica dinámica para lograr productos altamente integrados, que operan con una eficiencia notable y cuentan con un control térmico superior para una confiabilidad sostenida y una vida útil más larga.
Para hacer frente al desafío que supone la creciente demanda de concentración de potencia, impulsada por la tendencia generalizada del sector hacia la miniaturización, hemos diseñado la innovadora unidad LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Este revolucionario modelo logra una drástica reducción en el paso de las barras convencionales, de 0,73 mm a 0,38 mm, lo que comprime sustancialmente el área de emisión del conjunto. Con capacidad para alojar hasta 10 barras, esta mejora amplifica la potencia de salida del dispositivo a más de 2000 W, lo que representa un aumento del 92 % en la densidad de potencia óptica con respecto a sus predecesores.
Diseño modular
Nuestro modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 es la máxima expresión de ingeniería meticulosa, combinando funcionalidad con un diseño compacto que ofrece una versatilidad sin igual. Su construcción robusta y el uso de componentes de primera calidad garantizan un funcionamiento constante con un mantenimiento mínimo, reduciendo las interrupciones operativas y los costes asociados; una ventaja crucial en sectores como la fabricación industrial y la sanidad.
Pioneros en soluciones de gestión térmica
El LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 utiliza materiales de conductividad térmica superior que se ajustan al coeficiente de expansión térmica (CTE) de la barra, lo que garantiza uniformidad y una excelente dispersión del calor. Aplicamos análisis de elementos finitos para predecir y gestionar el comportamiento térmico del dispositivo, logrando una regulación precisa de la temperatura mediante una innovadora combinación de modelado térmico transitorio y en estado estacionario.
Control riguroso del proceso
Siguiendo métodos de soldadura dura tradicionales pero eficaces, nuestros meticulosos protocolos de control de procesos mantienen una disipación térmica óptima, salvaguardando la integridad operativa del producto, así como su seguridad y durabilidad.
Especificaciones del producto
El modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 se caracteriza por su factor de forma diminuto, peso reducido, eficiencia de conversión electroóptica superior, confiabilidad robusta y una vida útil operativa prolongada.
| Parámetro | Especificación |
| Modelo de producto | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Modo de funcionamiento | QCW |
| Frecuencia de pulso | ≤50 Hz |
| Ancho de pulso | 200 nosotros |
| Eficiencia | ≤1% |
| Presentación de bar | 0,38 mm |
| Potencia por barra | 200 W |
| Número de barras | ～10 |
| Longitud de onda central (25 °C) | 808 nm |
| Ancho espectral | 2 nm |
| Ancho espectral FWHM | ≤4 nm |
| Ancho de potencia del 90% | ≤6 nm |
| Divergencia del eje rápido (FWHM) | 35 (típico) ° |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 8 (típico) ° |
| Método de enfriamiento | TE |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | ≤0,28 nm/°C |
| Corriente de funcionamiento | ≤220 A |
| Corriente umbral | ≤25 A |
| Tensión de funcionamiento | ≤2 V |
| Eficiencia de pendiente por barra | ≥1,1 W/A |
| Eficiencia de conversión | ≥55% |
| Temperatura de funcionamiento | -45~70 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55~85 °C |
| Vida útil | ≥1×10⁹ disparos |
Soluciones láser de semiconductores compactas y de alta potencia a medida
Nuestros innovadores y compactos sistemas láser semiconductores de alta potencia están diseñados para ser altamente adaptables. Personalizables para cumplir con las especificaciones de cada cliente, incluyendo el número de barras, la potencia de salida y la longitud de onda, nuestros productos son una muestra de nuestro compromiso con ofrecer soluciones versátiles e innovadoras. La estructura modular de estas unidades garantiza su adaptación a una amplia gama de usos, atendiendo a una clientela diversa. Nuestra dedicación a desarrollar soluciones personalizadas nos ha llevado a crear productos con una densidad de potencia inigualable, mejorando la experiencia del usuario de maneras nunca antes posibles.
Fecha de publicación: 25 de diciembre de 2023