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El avance de las tecnologías de láseres semiconductores ha sido transformador y ha impulsado mejoras notables en el rendimiento, la eficiencia operativa y la durabilidad de estos láseres. Las versiones de alta potencia se emplean cada vez más en un espectro de aplicaciones, que van desde usos comerciales en la fabricación de láser, dispositivos médicos terapéuticos y soluciones de visualización visual hasta comunicaciones estratégicas, tanto terrestres como extraterrestres, y sistemas avanzados de orientación. Estos sofisticados láseres están a la vanguardia de varios sectores industriales de vanguardia y están en el corazón de la rivalidad tecnológica global entre las naciones líderes.
Presentamos la próxima generación de pilas de barras de diodos láser
Adoptando el impulso de dispositivos más pequeños y más eficientes, nuestra empresa se enorgullece de presentar elserie refrigerada por conducciónLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Esta serie representa un salto adelante, incorporando unión por coalescencia al vacío, material de interfaz, tecnología de fusión y gestión térmica dinámica de última generación para crear productos que están altamente integrados, operan con notable eficiencia y cuentan con un control térmico superior para una confiabilidad sostenida y una vida útil más larga. .
Para afrontar el desafío de las crecientes demandas de concentración de energía impulsadas por el cambio en toda la industria hacia la miniaturización, hemos diseñado la unidad pionera LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Este modelo innovador logra una reducción drástica en el paso de los productos de barras convencionales de 0,73 mm a 0,38 mm, comprimiendo sustancialmente el área de emisión de la pila. Con capacidad para albergar hasta 10 barras, esta mejora amplifica la salida del dispositivo a más de 2000 W, lo que representa un aumento del 92 % en la densidad de potencia óptica con respecto a sus predecesores.
Diseño modular
Nuestro modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 es el epítome de una ingeniería meticulosa, que combina funcionalidad con un diseño compacto que ofrece una versatilidad incomparable. Su construcción duradera y el uso de componentes de primera calidad garantizan un funcionamiento constante con un mantenimiento mínimo, lo que reduce las interrupciones operativas y los costos asociados, una ventaja fundamental en sectores como la fabricación industrial y la atención médica.
Pioneros en soluciones de gestión térmica
El LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 aprovecha materiales térmicamente conductores superiores que se alinean con el coeficiente de expansión térmica (CTE) de la barra, lo que garantiza uniformidad y una excelente dispersión del calor. Aplicamos análisis de elementos finitos para predecir y gestionar el paisaje térmico del dispositivo, logrando una regulación precisa de la temperatura a través de una combinación innovadora de modelado térmico transitorio y de estado estable.
Control riguroso de procesos
Siguiendo los métodos tradicionales pero efectivos de soldadura dura, nuestros meticulosos protocolos de control de procesos mantienen una disipación térmica óptima, salvaguardando la integridad operativa del producto, así como su seguridad y longevidad.
Especificaciones del producto
El modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 se caracteriza por su factor de forma diminuto, peso reducido, eficiencia de conversión electroóptica superior, confiabilidad sólida y una vida útil operativa extendida.
| Parámetro | Especificación |
| Modelo de producto | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Modo de operación | QCW |
| Frecuencia de pulso | ≤50Hz |
| Ancho de pulso | 200 nosotros |
| Eficiencia | ≤1% |
| Paso de barra | 0,38 milímetros |
| Potencia por barra | 200 vatios |
| Número de barras | ~10 |
| Longitud de onda central (25°C) | 808 nm |
| Ancho espectral | 2 millas náuticas |
| Ancho espectral FWHM | ≤4 nanómetro |
| 90% de ancho de potencia | ≤6 nanómetro |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 35 (típico) ° |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 8 (típico) ° |
| Método de enfriamiento | TE |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | ≤0,28 nm/°C |
| Corriente de funcionamiento | ≤220A |
| Corriente umbral | ≤25A |
| Voltaje de funcionamiento | ≤2V |
| Eficiencia de pendiente por barra | ≥1,1 W/A |
| Eficiencia de conversión | ≥55% |
| Temperatura de funcionamiento | -45~70°C |
| Temperatura de almacenamiento | -55~85°C |
| Vida útil | ≥1×10⁹ disparos |
Soluciones láser semiconductoras compactas y de alta potencia personalizadas
Nuestras pilas de láseres semiconductores vanguardistas, compactas y de alta potencia están diseñadas para ser altamente adaptables. Nuestros productos, adaptables para cumplir con las especificaciones individuales de los clientes, incluido el número de barras, la potencia de salida y la longitud de onda, son un testimonio de nuestro compromiso de brindar soluciones versátiles e innovadoras. El marco modular de estas unidades garantiza que puedan adaptarse a una amplia gama de usos, atendiendo a una clientela diversa. Nuestra dedicación a ser pioneras en soluciones personalizadas ha llevado a la creación de productos de barra con una densidad de potencia inigualable, mejorando la experiencia del usuario de maneras nunca antes posibles.
Hora de publicación: 25 de diciembre de 2023